MLC は TLC より優れていますか?フラッシュメモリ粒子とは正確には何でしょうか?

MLC は TLC より優れていますか?フラッシュメモリ粒子とは正確には何でしょうか?

2016 年のソリッド ステート ドライブ市場を一言で表すとすれば、フラッシュ メモリ パーティクルが間違いなくキーワードとして挙げられるでしょう。 2016年は、フラッシュメモリ粒子の大量生産による固体メモリの価格高騰、フラッシュメモリ粒子のプロセス問題によるメーカー間の競争、「日経ポスト」のようなMLC/TLC粒子の長所と短所など、フラッシュメモリ粒子をめぐる一連の大きな出来事がありました。

では、フラッシュメモリとは一体何なのでしょうか? 2D NAND と 3D NAND の違いと関連性は何ですか?以下、一つずつ解説していきます。

フラッシュメモリ粒子とは正確には何でしょうか?

フラッシュ メモリ パーティクルは、フラッシュ メモリとも呼ばれ、不揮発性メモリの一種です。つまり、書き込まれたデータは電源がオフの場合でも保存され、単一のバイトではなく固定ブロックで保存されます。フラッシュメモリ粒子には、用途や仕様に応じてさまざまなバリエーションがあります。今日は主に、ソリッド ステート ドライブなどのストレージ デバイスで使用される、最も一般的に使用される NAND フラッシュ メモリ パーティクルについて説明します。

フラッシュメモリファミリーの一員である NAND フラッシュメモリ粒子は、1989 年に日立によって初めて開発され、市場に投入されました。消費電力の低減、価格の低減、性能の向上など、多くの利点があるため、NAND フラッシュメモリ粒子は、ストレージ業界で最も重要なストレージ原材料となっています。

NAND フラッシュメモリは、電子ユニットの密度の違いにより、SLC (シングルレベルセル)、MLC (ダブルレベルセル)、TLC (トリプルレベルセル) に分類されます。これら 3 種類のセルには、寿命とコストに明らかな違いがあります。

2D フラッシュメモリと 3D フラッシュメモリの違いと関連性

3D NAND を説明する前に、まず 2D NAND とは何か、そして「2D」と「3D」が実際に何を意味するのかを明確にする必要があります。まずは2D NANDです。数学や物理学の分野では、2D/3D はどちらも方向と座標軸を指すことは知られています。 「2D」は平面上の長さと幅を指しますが、「3D」は「2D」に垂直方向の「高さ」の概念が加わります。

したがって、2D NAND の本当の意味は、実際には単一のダイ内に粒子を配置する方法であり、フラッシュ メモリの粒子を従来の 2 次元平面パターンに従って配置します。これに対し、3D NANDは2次元平面を基準に粒子を垂直方向に配列し、従来の平面積層方式を革新しています。

新しい技術(3D NAND技術)の使用により、粒子を3次元的に積み重ねることができるため、ウェーハの物理的制限により単一ダイの利用可能な容量をさらに拡大するという制限が解決されます。同じ体積の条件下では、フラッシュメモリ粒子の単一ダイの容量体積が大幅に向上し、ストレージ粒子の全体的な容量の急増がさらに促進されます。

同時に、業界では、垂直方向に積み重ねられた粒子層の数の違いと選択された粒子の種類の違いに応じて、3D NAND粒子は、32層、48層、さらには64層の3D TLC / MLC粒子のさまざまな製品に分類されます。これは、主要なオリジナル製造業者の技術的備蓄と、実際に選択される粒子の種類によって異なります。

2D NAND テクノロジと 3D NAND テクノロジの違いと関連性を理解するために、類推を使用できます。 2D NAND は、限られた平面上に建てられた多数のバンガローのようなものです。これらのバンガローはきちんと配置されていますが、需要が増加し続けるにつれてバンガローの数が増え続けますが、最終的にはこの限られた平面は一定数のバンガローしか収容できず、増やし続けることはできません。

3D NAND は、同じ平面上に建てられた建物のようなものです。同じ平面上で、建物の容積率はバンガローの容積率よりもはるかに高いため、より多くのスペース、つまりより大きな収納スペースを提供できます。 32階建て、48階建て、64階建てというのはこれらのビルの高さで、全部で何階が積み重なっているのか。

3D NAND 技術は同じ体積でより多くのストレージスペースを提供できますが、このスタッキング技術は OEM にとって運用が非常に難しく、相当の技術的蓄積が必要です。そのため、3D NAND テクノロジーを使いこなせる OEM 企業はごくわずかです。 3D NAND 粒子の量産とリリースを実現しているのは、Samsung や Micron などの少数の企業のみです。

今日頭条の青雲計画と百家曼の百+計画の受賞者、2019年百度デジタル著者オブザイヤー、百家曼テクノロジー分野最人気著者、2019年捜狗テクノロジー文化著者、2021年百家曼季刊影響力のあるクリエイターとして、2013年捜狐最優秀業界メディア人、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト北京3位、2015年光芒体験賞、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト決勝3位、2018年百度ダイナミック年間有力セレブなど、多数の賞を受賞しています。

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