成長はボトルネックに達しましたか?携帯電話の最大ストレージ容量が256GBしかないのはなぜですか?

最近のスマートフォンのストレージ容量はますます大きくなっています。昔は、8GB または 16GB の携帯電話が最高級品と考えられていました。技術の進歩により、ソフトウェアの更新速度が加速し、携帯電話の機能はますます増え、ユーザーのストレージ容量に対する需要もますます高まっています。特に近年、携帯電話の ROM は驚異の 256GB に達しています (iPhone 7 Plus、ZenFone 3 Deluxe、ZenFone 2 Deluxe など)。将来的にさらに高いスペックが利用可能になるかどうかは不明ですが、256GB が長期間存在し続けることは明らかです。なぜこのようなことが起こるのでしょうか? 1. スマートフォンの最大 ROM サイズが 256 GB に制限されているのはなぜですか?コスト制約 容量が大きくなればコストも高くなることは誰もが知っています。コストの大部分はストレージ媒体（ストレージ粒子）によって決まります。同じ容量の場合、SLC の価格は MLC や TLC よりも大幅に高くなりますが、容量の増加は具体的なコストの数字で数百から 1,000 程度にとどまる場合があります。しかし、携帯電話は大量生産する必要があることを考えると、「砂の山から塔が建てられる」という慣用句は誰もが理解できると思います。 TLC = 3 値レベルセル、つまりセルあたり 3 ビット。このタイプのチップは、伝送速度が遅く、寿命が短く、製造コストが低いという特徴があります。 MLC = マルチレベルセル。セルあたり 2 ビットを意味します。このタイプのチップは、平均的な伝送速度と平均的な寿命を備えています。 SLC = シングルレベルセル、つまりセルあたり 1 ビットの場合、このタイプのチップは、エンタープライズレベルの SSD にのみほぼ搭載されています。コストは高くなりますが、もちろん速度と寿命も 3 つの中で最高です。
保管される粒子の種類粒子サイズの制限 Samsung、Micron、Hyundai、Toshiba などの有名な上流ストレージチップサプライヤーの粒子仕様はまだ 256GB を超えていません。携帯電話はコンピュータほど大きくないため、サプライヤーは通常、小型の携帯電話に 1 つのストレージチップしかインストールできません。そのため、携帯電話の容量はこのストレージチップの仕様に依存します。
iPhone 7 NANDフラッシュチップの内部スペース制限 携帯電話の内部スペースは非常に限られており、現時点では 2 つのストレージチップを共存させることは不可能です。初期の解決策は、携帯電話のメモリカード (TF カード) を挿入することでした。しかし、軽量化と転送速度の向上のため、多くの携帯電話ではメモリカードの拡張機能が廃止されています。しかし幸いなことに、最近の携帯電話は内蔵容量が比較的大きいので、通常2～3年は使用しても問題ありません。
TFメモリカードの携帯電話交換サイクルが短縮 最近ではスマートフォンの更新や買い替えが頻繁に行われており、1年に1回、あるいは2回買い替える人も多くいます。中国中央テレビの「東方水平線」番組がかつて調査を実施したところ、「携帯電話利用者の52％が平均1年以内に携帯電話を買い替えている」という結果が出た。そのため、消費者にとっては、十分あれば十分であり、大きすぎると使い切れないということになります。メーカーはユーザーのニーズに合わせて製品を設計・製造します。大規模環境におけるクラウドストレージの開発 技術の進歩により、インターネットの速度はますます速くなっています。現在の4Gは徐々に以前の3Gに取って代わり、将来の5Gが登場しようとしています。インターネット速度の継続的な向上により、「クラウドストレージ」という新しい用語が生まれました。新興のストレージ技術として、従来のストレージデバイスの購入やストレージソフトウェアの導入と比較して、クラウドストレージには、低コスト、迅速な結果、簡単な管理、柔軟な方法などの利点があります。多くのユーザーは、データのセキュリティを確保しながら、データをクラウドに保存することを好むため、ローカルのストレージスペースをあまり必要としません。
クラウドストレージ2. 今後の開発における新たな動向: 3D NAND 3D NAND とは? 3D NAND の概念は、実は理解するのが難しくありません。その原理は単純に「積み重ねる」ことであり、Intel と Micron は現在、32 層まで積み重ねる方法を開発しています。このようにして、MLC フラッシュメモリチップに最大 32 GB のストレージスペースを追加でき、単一の TLC フラッシュメモリチップに 48 GB を追加できます。現在、3D NAND フラッシュメモリは、ストレージパーティクルを積み重ねることで 2D または平面 NAND フラッシュメモリの制限を解決する、新しいタイプのフラッシュメモリです。
3D NAND 3D NANDテクノロジーの利点3D NAND のハイライトは、3 次元の垂直スタッキング方式を使用して、単一の粒子に含まれるチップの数を増やすことです。積層数の増加により、最終的には容量が飛躍的に増加し、製品の耐用年数が大幅に向上します。 3D NAND はより高い命令実行効率を提供し、製品の動作パフォーマンスを向上させます。プログラミング段階を簡素化し、スタンバイ時および動作時の製品のエネルギー消費を効果的に削減します。
3D NAND 現在、Samsung、SK Hynix、Toshiba/SanDisk、Intel/Micron など、いくつかの大手 NAND 企業がすでに 3D NAND フラッシュメモリの分野に参入しています。武漢新鑫科技が主導する国家メモリ産業基地は、中国で初めて新設された12インチウエハー工場です。量産開始後は、3D NANDフラッシュメモリを直接生産することになる。 3D NANDは、今後モバイル機器のROM容量を突破するために必要な技術となると言えるでしょう。概要:テクノロジーは進歩しており、未来を予測することはできません。携帯電話は将来どのようになるでしょうか?現時点では、編集者は、より適切で十分な 64GB または 128GB の携帯電話を購入することをお勧めします。ユーザーの需要を考慮すると、256GBを超えるストレージ仕様の携帯電話は当分登場しないのではないかと思います。

今日頭条の青雲計画と百家曼の百+計画の受賞者、2019年百度デジタル著者オブザイヤー、百家曼テクノロジー分野最人気著者、2019年捜狗テクノロジー文化著者、2021年百家曼季刊影響力のあるクリエイターとして、2013年捜狐最優秀業界メディア人、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト北京3位、2015年光芒体験賞、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト決勝3位、2018年百度ダイナミック年間有力セレブなど、多数の賞を受賞しています。

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