10nm Qualcomm Snapdragon 835 が登場しました。 821/820 電話はまだ購入する価値がありますか?

冬が到来し、春ももうすぐそこです。そして、新しい主力携帯電話の登場もさらに近づいています。とても興奮しています...これは私たちの友人たちの気分であり、SoCメーカーの心理描写でもあります。 Qualcomm は、2017 年の主力チップ Snapdragon 835 を突然発表しました。 Snapdragon 820/821の後継機として、来年の主力スマートフォンのパフォーマンスに新たな期待を与えるだけでなく、実行スコアで新たな最高記録を達成すること以外に、もっとエキサイティングなことがあるのだろうかと思わせます。コア数よりも高度なプロセスが重要 昨年、Snapdragon 820も11月にリリースされましたが、これはSnapdragon 835とちょうど1年の差があります。しかし、Snapdragon 835の状況は、Qualcommの「冷静化」に貢献した昨年の820よりもはるかに良好です。そのため、Qualcomm が Snapdragon 820 を発表したとき、そのアーキテクチャ、主要周波数、GPU などの詳細なパラメータをすべて明らかにしましたが、今回は Snapdragon 835 についてはあまり多くの情報は明らかにしませんでした。主に伝えられているのは、Samsung の 10nm プロセス技術を使用して製造されるということだけです。興味深いことに、クアルコムがこのニュースを発表するわずか1か月前に、サムスンは10nmプロセスチップ技術が量産を達成したと発表しました。両社は、まるで事前に話し合っていたかのように、同時にこのニュースを発表した。おそらくこれによって最も大きな打撃を受けたのは、別のチップ製造会社であるTSMCだ。 TSMCは再び「10nmプロセス技術の量産を達成した最初のチップメーカー」の称号をサムスンに明け渡しただけでなく、噂されていたクアルコムのSnapdragon 835の大量受注も逃した。TSMCは半導体製造技術でサムスンと競い合ってきた。 TSMCは、14/16nm FinFETプロセスの量産進捗でサムスンに敗れた後、10nm、さらには7nmプロセスでサムスンを追い抜くために全力を尽くしています。残念ながら、以前の16nm FinFETプロセスと同様に、正式な量産前にはニュースが絶えず発表されていましたが、実際の時期は半年近く遅れていました。かつてはサムスンに追いつくと自信を見せていたTSMCは、今や再び遅れをとっただけでなく、年末までに10nmを量産できるかどうかも不透明だ。あまり遅くならないことを祈ります。これは TSMC 自体に関係するだけでなく、他のメーカーにも影響を及ぼします。 Huawei HiSiliconは、Kirin 960とKirin 970という2つのハイエンドチップを計画している。前者はTSMCの成熟した16nm FinFETプロセスを採用し、後者はTSMCの10nmプロセスを採用する予定である。予定通り量産が達成できない場合、来年発売予定のファーウェイの新型主力携帯電話にも影響が出る可能性がある。常に最先端のプロセスを採用することでハイエンドチップ市場で差別化を図ろうとしてきたMediaTekは、現在、TSMCの10nmプロセスの量産時期を懸念していると思われる。 MediaTekのチップはすべてChina Mobileが要求するLTE Cat7をサポートしておらず、国内の携帯電話メーカーによって廃止され始めているため、LTE Cat10テクノロジーをサポートする10nmプロセスを使用したHelio X30の発売が急務となっている。このことが、MediaTek の現在の後継者不足という困った状況を引き起こしている。クアルコムとサムスンが共同でSnapdragon 835の製造に10nmプロセスを採用すると発表したというニュースは、両社が共同で競合他社に「私に追いついてこい」と告げ、自らが主導的立場にあることを宣言しているに等しいと見るのは難しくない。そのためか、今回Snapdragon 835も飛び番命名方式となっている（以前噂されていたモデルはSnapdragon 830のはず）。
彼らがどれほど幸せか見てください。クアルコム副社長のキース・クレシン氏とサムスン上級副社長のベン・スー氏がSnapdragon 835チップを手に持っている。 今回は急速充電はGoogleの冷遇を心配する必要はない Snapdragon 835 には、Quick Chrage 4 高速充電テクノロジーが搭載されています。実際、発表の直前に、Qualcomm の Quick Chrage 急速充電技術がテストされていました。 Google は最新の Android 互換性定義ドキュメントで、OEM が Type-C デバイスで特許取得済みの充電技術を使用せず、代わりに Qualcomm Quick Charge に代表される多数のサードパーティ製急速充電技術を対象に、標準の USB PD 電源プロトコルを使用することを強く推奨しています。 USB Type-C 3.1 インターフェース仕様によれば、充電電圧は 4.45 ～ 5.25 ボルトに維持される必要がありますが、Qualcomm QC 3.1 で要求される電圧は USB Type-C ケーブル規格をはるかに超えています。このテクノロジーは非標準の信号と非標準の USB 接続に基づいているため、さまざまな互換性の問題が発生します。また、各携帯電話は内部構成や充電速度が異なるため、ユーザーがデバイスを混在させると安全上のリスクが生じる可能性があります。 USB-PD 充電プロトコルは、標準の 3A Type-C 充電器を推進し、互換性があり比較的信頼性の高い急速充電を実現することを目的としています。 Quick Charge 4 の登場は、Qualcomm が USB Type-C と USB-PD のサポートを統合するという課題に取り組む準備ができていることを示しています。これは、将来的には、Quick Charge 4 を搭載したさまざまな携帯電話を、充電器を混在させることで急速充電できるようになることを意味する可能性があります。もちろん、充電速度も速くなります。クアルコムは、Quick Charge 4の充電速度が最大20％向上したと発表した。わずか 5 分の充電で、携帯電話を 5 時間以上使用できます。約15分以内でバッテリー容量の最大50%まで充電できます。
15分で50%充電可能、Quick Charge 4の充電効率は30%向上しています。 Quick Charge 4のアップグレードには、QualcommのINOV電源管理アルゴリズムの第3バージョン（最適電圧インテリジェントネゴシエーション）を使用した熱制御も含まれており、充電中に携帯電話の温度を前世代よりも最大5℃低くできる業界初のリアルタイム熱管理技術が追加されたと言われています。結局のところ、Samsung Note7の事件により、充電中の過熱の問題に人々はますます注目するようになりました。これは主に、Snapdragon 835 を搭載した携帯電話には、電流と電圧に対する 3 重の保護と、過熱に対する 4 重の保護があり、Snapdragon 835 はバッテリー寿命も管理できるため、ユーザーはより長く使用できるという事実に基づいています。つまり、Snapdragon 835はQuick Charge 4を搭載した最初の製品となる。携帯電話の性能に対する期待に応える クアルコムはSnapdragon 835に関する具体的な情報をまだ明らかにしていないが、公開されている情報の中には、アップグレードされた64ビット独立アーキテクチャKyro 200、4つの大型と4つの小型のオクタコア設計、Adreno 540にアップグレードされたGPUコア、LTE X16ベースバンド、より高速なLPDDR4xメモリなどがあり、基本的には信頼できる。これは当然、来年の主力スマートフォンのパフォーマンスが今よりもさらに進歩し、実行スコアが新記録を樹立することを意味します。しかし、そんなに単純だとは思わないでください。現在、SoC は携帯電話製品の設計方向やユーザーエクスペリエンスにも大きな影響を与えています。 Qualcomm によれば、Snapdragon 835 はチップサイズが小さくなるため、OEM は今後の製品でより大きなバッテリーやより薄型のデザインをサポートするためにより多くのスペースを確保できるようになります。 Apple が iPhone 7/7 Plus からヘッドフォンジャックを削除した最大の理由は、カメラモジュール、Taptic Engine、およびバッテリー容量の一部を追加するために本体内部にスペースを確保するためであることを知っておく必要があります。そのため、来年の主力携帯電話はさらに薄型化し、性能が向上するだけでなく、バッテリー容量も大きくなり、バッテリー寿命も長くなると予測できます。デュアルカメラ携帯電話の普及に伴い、Snapdragon 835 はデュアルカメラ向けのより優れた ISP サポートソリューションを備え、新世代の Hexagon DSP もより優れたスタンバイ性能をもたらすことが期待されています。 VR コンセプトがますます普及するにつれて、Qualcomm はより良い結果を得るためにこれらの操作を個別に最適化することも提案しました。 VR では、携帯電話にこれまでよりもはるかに高いグラフィック処理能力が必要であり、Snapdragon 835 の新世代 Adreno GPU は間違いなくより強力になります。また、今年のホットな話題は人工知能です。 Snapdragon 820には、ユーザーが撮影した写真を自動的に分類できるZerothニューラル処理エンジンが組み込まれています。 Snapdragon 835 はさらに一歩進んで、より実用的な機械学習機能をもたらすと信じています。将来的には、携帯電話があなたのことをもっとよく理解するようになるでしょう。
Snapdragon 835を初めて搭載すると予想されるSamsung S8は、人工知能とディープラーニング機能を搭載すると予想されている 購入できず、待ちたくない場合はどうすればいいですか?最新のフラッグシップチップを搭載した携帯電話を最初に使用することは、多くのユーザーにとって非常に魅力的です。しかし、昨年クアルコムがSnapdragon 820をリリースした後、長期にわたって供給不足が続いたように、来年初めもこの問題は続く可能性がある。どのメーカーが最初のSnapdragon 835を搭載するかについては、大きなサスペンスはなく、来年上半期に発売される予定のSamsungのGalaxy S8シリーズとなる。来年第1四半期となるSnapdragon 835チップの量産初期段階では、サムスン以外のメーカーは多くの商品を入手できない可能性がある。 Snapdragon 835が国内の携帯電話に広く採用されるのは来年半ばになるはずだ。そのため、近い将来にスマートフォンを変更する必要があるユーザーにとって、新しいスマートフォンを購入する前に半年も待つ忍耐力が本当にないのであれば、Androidフラッグシップの新基準であるSnapdragon 821モデルや、最近価格性能比が上昇しているSnapdragon 820モデルは、依然として良い選択肢です。

今日頭条の青雲計画と百家曼の百+計画の受賞者、2019年百度デジタル著者オブザイヤー、百家曼テクノロジー分野最人気著者、2019年捜狗テクノロジー文化著者、2021年百家曼季刊影響力のあるクリエイターとして、2013年捜狐最優秀業界メディア人、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト北京3位、2015年光芒体験賞、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト決勝3位、2018年百度ダイナミック年間有力セレブなど、多数の賞を受賞しています。

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