iPhone 6はTLCフラッシュメモリを採用

最近、iPhone 6と6 Plusは、128GBと64GBバージョンの多くがTLC NANDフラッシュメモリ技術を採用していることを海外メディアが明らかにしたため、品質問題に巻き込まれている。

その後、Apple がひっそりと TLC フラッシュメモリの使用をやめたという報道がありました。多くのネットユーザーは、iPhone 6や新型iPadではこのような問題は発生しないため、これは単なる噂だと信じていました。

実のところ、Apple はあなたを失望させました。

現在、一部のネットユーザーが新型iPhoneのNANDアーキテクチャをテストするソフトウェアを公開している（フラッシュメモリのサプライヤーも検出可能）。ユーザーは携帯電話を分解しなくても脆弱性があるかどうかを知ることができます。ソフトウェアを使用するにはジェイルブレイクが必要ですが、多くのユーザーの追跡テストから、128GB バージョンは基本的に TLC であり、64GB 部分は TLC であることがわかります。

TLC NAND フラッシュメモリは、ソリッドステート NAND フラッシュメモリの一種です。データ保存容量はSLCメモリの3倍、MLCメモリの1.5倍です。何よりも、TLC フラッシュはより手頃な価格です。ただし、データの読み取りと書き込みは SLC や MLC よりも遅くなります。

今日頭条の青雲計画と百家曼の百+計画の受賞者、2019年百度デジタル著者オブザイヤー、百家曼テクノロジー分野最人気著者、2019年捜狗テクノロジー文化著者、2021年百家曼季刊影響力のあるクリエイターとして、2013年捜狐最優秀業界メディア人、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト北京3位、2015年光芒体験賞、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト決勝3位、2018年百度ダイナミック年間有力セレブなど、多数の賞を受賞しています。